获取优惠价格

Tel:19337881562

产品列表

新闻中心

碳化硅型号

sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 - Infineon Technologies

4 天之前全球首款采用最小和最紧凑封装的高性能1200 V CIPOS™Maxi SiC IPM. 基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至2200 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。我们SiC MOSFET的主要特点包括：碳化硅（SiC）MOSFET - 意法半导体STMicroelectronics

碳化硅（SiC）MOSFET: 相关产品 - STMicroelectronics

碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247长引线封装SiC（碳化硅）MOSFET. SiC MOSFET 原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。. 低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。. 此外，SiC还具有如 SiC（碳化硅）MOSFET_产品搜索结果_罗姆半导体集团 ...

碳化硅SiC器件-英飞凌(Infineon)官网 - Infineon

2 天之前作为在碳化硅（SiC）技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。我们的专家了解如何降低系统复杂性，从而降低中大功率系统的成本和规模。凭借 This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS (on) 汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 mOhm（典型值 ...

SiC MOSFET 东芝半导体存储产品中国官网

2024年10月3日东芝第3代碳化硅（SiC）MOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品。与第2代产品一样，东芝新一代MOSFET内置了与SiC MOSFET内部PN结二极管并联的SiC肖特基势垒二极管（SBD），其正向电 2 天之前碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。此外，碳化硅（SiC）功率模块 RDS 从 52.9 mOhm到1.44 mOhm ，可针对不同的应碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块-英飞凌(infineon)官网

C3M™ 系列碳化硅功率 MOSFET - Wolfspeed / Cree Mouser

科锐 C3M™ 系列碳化硅功率 MOSFET 是采用最新突破技术的器件，并且是业内首款 900V MOSFET 平台。. 这些器件针对高频电力电子应用进行了优化。. 包括：可再生能源逆变器、 2024年10月3日宽禁带功率半导体充分利用东芝第二代碳化硅（SiC）器件结构的优势，为高电压产品带来了极具吸引力的优势。与传统的硅（Si）功率半导体相比，东芝的SiC MOSFET具有更高的可靠性、在高温环境下的出色工作、高 SiC MOSFET 东芝半导体存储产品中国官网

碳化硅（SiC）MOSFET: 相关产品 - STMicroelectronics

碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247 长引线封装 SCTHS250N65G2G Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 8 mOhm typ., 250 A in a STPAK package SCT040W65G3-4 Silicon carbide Power ...2023年9月20日碳化硅肖特基二极管，适用于快速开关电源转换 Nexperia适合超高性能、低损耗和高效功率转换应用的领先碳化硅(SiC)肖特基二极管。碳化硅肖特基二极管具有不受温度影响的电容关闭和零恢复开关特性，以及出色的品质因碳化硅(SiC)肖特基二极管 - Nexperia

从Tesla特斯拉Model 3拆解来了解碳化硅SiC器件的未来需求 ...

2020年12月22日不过，市场估算，循续渐进采用SiC后，平均2辆Te._从tesla特斯拉model 3拆解来了解碳化硅sic器件的未来需求, ... Model3拆解后可以看到，其SiC器件使用的型号是：ST GK026 (24颗) ，由于这颗料在网上没有详细参数，我们来通过下面专家专业的分析来了解这 ...2024年5月6日 Semiconductor device that controls the flow of electricity to reduce power loss. Personal computers and other electronic equipment constantly lose power when they operate. Power loss can be kept low by using high performance power semiconductors. High performance power semiconductor can realize saving energy for not only Personal Computers, but also 功率半导体东芝半导体存储产品中国官网

SiC（碳化硅）功率器件_分立式元器件_罗姆半导体集团 ...

与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于 ...2016年6月3日铝碳化硅复合材料（AlSiC），被称为金属化的陶瓷材料（Metalized Ceramic ），是一种新型功能复合材料，全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料（Aluminum Matrix SiC Particle Reinforced Material）。其展现出的优异性能，吸引了国内外无数的科研院所和科技 ...铝碳化硅(AlSiC)复合材料及产品介绍

SiC JFET - Qorvo

产品按型号排列产品描述文档产品电源解决方案 SiC JFET Qorvo 的碳化硅 (SiC) JFET 是高性能常开型 JFET 晶体管，电压范围为 650 至 1700 V，导通电阻 (RDS(on)) 低至 25 毫欧。栅极电荷 (QG) 也较低，从而实现低传导损耗并降低开关损耗。这些产品也是 ...2020年3月31日碳化硅粉末是一种超硬材料，产品采用绿色碳化硅砂经研磨分级提纯制成，其粒度均匀、硬度高、脆性大、自锐性强，切削能力较强，化学性质稳定，导热性好，可以用作研磨粉、研磨膏类使用什么是碳化硅粉末—碳化硅粉末标准及应用 - Silicon Carbide

碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 - KYOCERA

碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 ℃的温度下，碳化硅仍能保持其强度。碳化硅相关产品特点结构性能特点在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强度。这种材料产品型号主要功能说明封装形式 WM1A060065L 650V 38A 60mo 碳化硅mos TO-247-4 WM1A030065L 650v 78A 30mo 碳化硅mos TO-247-4 WM1A017065L 650V 116A 17mo 碳化硅mos TO-247-4 WM1A120065K 650v 20a 120mo 碳 SIC国产碳化硅MOS - SIC二极管碳化硅二极

智己LS6配置解读，准900V碳化硅+镁铝电机+全铝底盘 ...

2023年12月14日智己LS6(图片配置询价)是智己汽车出品的一款中大型纯电SUV，主打运动。准900V碳化硅平台、镁铝电机、全铝底盘，21.79万元限时起售，引爆市场，单月销量已超0.8万辆，下面就让笔者从配置差异方面看下它的实力。2024年9月27日汽车级DCM碳化硅MOSFET模块 Pcore ™ 2 系列是高电流密度的碳化硅功率模块，专为新能源汽车主驱逆变器应用设计。功率模块采用了先进的有压型银烧结工艺和高性能铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有 ...Pcore™2 - 汽车级DCM碳化硅MOSFET模块 - 深圳基本 ...

干货！碳化硅SiC（衬底）产业链梳理 - 知乎

2023年11月20日碳化硅单晶衬底是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节，因此在此篇内容碳化硅SiC产业链梳理中，偏向SiC衬底内容居多，包括但不限于：产业链上下游概览（长晶炉设备、碳化硅衬底、外延片制备、器件厂、封装厂等）相关上市公司情况（营收、净利润、主营产品、潍坊凯华碳化硅微粉生产各种型号碳化硅微粉,碳化硅超细微粉,纯度高、粒型好、更稳定,用于反应烧结、五压烧结、硅碳棒新工艺、研磨抛光、防腐、涂腐、尾气处理（DPF）等领域,客户新产品开发全程配合实验碳化硅微粉,碳化硅超细微粉-潍坊凯华碳化硅微粉有限公司

C3M™ 系列碳化硅功率 MOSFET - Wolfspeed / Cree Mouser

科锐 C3M™ 系列碳化硅功率 MOSFET 是采用最新突破技术的器件，并且是业内首款 900V MOSFET 平台。这些器件针对高频电力电子应用进行了优化。包括：可再生能源逆变器、电动汽车充电系统和三相工业电源。上海堃旌轴承有限公司专业生产公制及英制微型轴承，特色产品为高精密微型轴承及带法兰盘轴承，材料可为轴承钢，不锈钢及陶瓷等，精度从ABEC-1至ABEC-5，产品以高转速、高精密、低磨擦、低噪音、长寿命著称。广泛应用于精密仪器，微型电机，家用电器，医疗器械，电动工具，电脑碳化硅（SSIC）全陶瓷轴承-上海堃旌轴承有限公司

ZEEKR 001首先就是“显眼包”——四个800V碳化硅电机_易车

2023年10月31日之所以说极氪001 FR已经是台全新车，最根本还是核心的动力总成已经全部是新东西了。首先就是“显眼包”——四个800V碳化硅电机，全部是威睿自主研发。前面两个电机采用了创新的非对称平行布置，单个输出功率155kW；后面两个电机并列布置，使用自研碳纤维包覆转子，单个输出功率310kW，最高 ...2021年8月16日除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 - 知乎

三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） - 知乎

2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 ...3 天之前在选择型号前，一定要翻阅对应的数据手册进行深入了解。通过上述步骤，您可以根据特定的应用需求和性能要求，选择合适的Sic MOSFET。选型时应综合考虑上述所有参数，以确保选出的MOSFET在性能、效率和成本之间达到最佳平衡。SIC MOSFET碳化硅MOS管器件选型指南 - 亿伟世科技

碳化硅（SiC）纵览—第 4 期：罗姆第四代 SiC MOSFET ...

2022年10月3日 “ 罗姆（ROHM）今年发布了他们的第 4 代 (Gen 4) SiC MOSFET 产品。声称“通过进一步改进原始的双沟槽结构，在不牺牲短路耐受时间的情况下，将单位面积的导通电阻比传统产品降低 40%，此外，与上一代 SiC MOSFET2013年8月31日精密研磨抛光碳化硅微粉防腐涂料机车制动装置碳化硅微粉硅碳棒新工艺碳化硅微粉反应烧结碳化硅微粉车辆尾气净化（DPF）碳化硅微粉重结晶烧结碳化硅微粉保温材料按型号分类 F240 F1200 W40 W28 W20 W14 W10 W7 W5 W3.5 W2.5 W2 W1.5 W1F1200-按型号分类-潍坊凯华碳化硅微粉有限公司

碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块-英飞凌(infineon)官网

2 天之前采用不同封装和拓扑设计的CoolSiC™碳化硅MOSFET模块技术采用CoolSiC™ MOSFET 的功率模块为逆变器设计人员实现前所未有的效率和功率密度水平带来了新机遇。 Toggle Navigation 产品分类应用领域设计支持社区关于我们 ...2021年6月14日粒度分布是碳化硅磨料微粉最重要的技术指标，它直接影响颗粒的细度和研磨精度。“粒度”是指一个粉体样品颗粒大小的总体描述。详细的要用粒度分布来表示，在实用中一般只取几个关键参数，例如磨料JIS标准中的D50、D94、D3。碳化硅微粉粒度分布日标JIS R 6001-2:2017和国标W标的区别

碳化硅（SiC）功率器件发展现状 - 知乎

2019年7月5日从芯光润泽官网获悉，公司目前拥有碳化硅产品为碳化硅SBD和碳化硅MOSFET，如XGSCS1230SWA是碳化硅SBD其中一个型号，可以满足电压为1200V的电压需求，适用场景为开关电源、功率因数校正、电力逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动等等。

在线留言

首页

Tel

联系我们

QQ